（記者方采彤綜合外電報導）全球記憶體價格持續攀升之際，三星電子、SK海力士與美光遭美國消費者提起集體訴訟。原告指控三家公司利用在全球DRAM市場的主導地位，協同調整產能配置，將資源大舉轉向人工智慧（AI）所需的高頻寬記憶體（HBM），刻意壓縮傳統DRAM供應，訴狀指稱，特定傳統DRAM（如DDR3、DDR4）價格在近年累計大幅攀升，部分價格漲幅約達700%，並形容這波漲勢為「記憶體末日（RAMpocalypse）」。
根據科技媒體《Wccftech》報導，這起集體訴訟於6月25日在美國加州北區聯邦地方法院提出，案號為「3:26-cv-06345」，代表近期購買搭載通用DRAM產品的消費者及企業提出求償。訴狀指出，三星、SK海力士與美光合計掌握全球逾九成DRAM市場，涉嫌透過一致性的產能策略，限制DDR3、DDR4等傳統DRAM供應，進而推升市場價格。
原告主張，隨著AI熱潮帶動HBM需求暴增，三家公司雖以市場需求作為調整產能的理由，但實際上卻將大量晶圓產能優先配置給利潤更高的HBM產品，導致傳統DRAM供給持續收縮。
訴狀認為，三家公司具備擴充傳統DRAM產能的能力，卻選擇集中發展HBM，已構成協同行動並涉嫌操縱市場價格。
訴狀並指出，相關DRAM價格在近年累計大幅攀升，部分價格漲幅約達700%，不僅影響記憶體模組與顯示卡價格，也開始反映在終端產品售價。訴狀主張，蘋果近期調漲部分Mac與iPad價格或與記憶體成本上升相關
為支持合謀指控，原告也引用三星與SK海力士過去涉及DRAM價格操縱案件的紀錄。兩家公司曾因2000年代價格操縱案遭美國司法部調查並認罪，相關案件累計罰款約7.31億美元，其中三星遭罰 3 億美元、海力士遭罰 1.85 億美元，其餘款項為英飛凌等其他未列於本案之大廠所分攤，多名高階主管亦遭判刑。至於美光當年沒有認罪，不過因配合司法部調查而未遭起訴。
原告認為，此次案件與過往事件存在相似的市場操作模式，因此將歷史紀錄列為重要佐證。
訴狀指出，DRAM產業具有極高的市場進入門檻，新建一座先進記憶體晶圓廠需投入約150億至200億美元資本，且建廠周期長、技術門檻高，加上產品認證及出口管制等因素，使新競爭者難以進入市場，進一步強化既有業者的市場支配力。
截至目前，根據《Investor’s Business Daily（IBD）》等媒體報導，美光已表示不同意訴狀指控，並將積極抗辯；三星與SK海力士截至目前尚未公開回應。原告則要求法院頒布禁制令，禁止持續從事反競爭行為，並請求三倍損害賠償及訴訟相關費用。
另一方面，市場對記憶體價格後市仍普遍偏向樂觀。包括聯想等業者均認為，高記憶體價格可能成為「新常態」，而金融機構Jefferies也預估，2026年第3季記憶體價格將較本季再上漲40%至50%，第4季續漲30%至40%；2027年全年價格仍可能年增40%至45%，直到2028年漲勢才有望逐步放緩。
隨著AI持續帶動HBM需求成長，以及本案正式進入司法程序，三大記憶體廠是否涉及聯合限產與操縱價格，仍有待法院進一步審理釐清。