（中央社記者鍾榮峰台北17日電）鴻海研究院（Hon Hai Research Institute, HHRI）今天宣布，半導體所與陽明交通大學及美國德州大學奧斯汀分校跨國合作，投入第四代半導體研究，近日在衛星通訊及高功率元件領域取得突破。
鴻海研究院透過新聞稿說明，第四代半導體是超寬能隙（Ultra-Wide Bandgap, UWBG）半導體材料，相較前三代半導體，具有更寬能隙（bandgap），在高功率、高頻、高溫環境下表現佳，第四代半導體可應用在電動車與快充技術、高壓電力設備、太空與航太科技。
鴻海研究院指出，相關研究主要是半導體所所長暨陽明交大講座教授郭浩中，與半導體所蕭逸楷博士及半導體所研究團隊，攜手國立陽明交通大學講座教授洪瑞華研究團隊、美國德州大學奧斯汀分校微電子中心主任Xiuling Li教授研究團隊，開展前瞻研究合作。
郭浩中指出，在高壓高頻元件需求日益增加背景下，相關成果可對通訊及高功率等領域應用，帶來深遠影響。（編輯：楊蘭軒）1140417
