（中央社記者吳家豪台北7日電）針對外媒報導晶圓代工廠台積電正考慮進軍3D DRAM先進記憶體晶片製造。專家今天分析，從技術延伸與客戶分散供應鏈風險的角度來看，台積電切入並非不可能，但考量資本支出、利潤率與既有生態圈夥伴關係，短期內台積電應以共同開發或專用技術驗證為主，不至於貿然跨足標準型記憶體大規模量產。
動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片用於在電子裝置中暫時儲存資料，3D DRAM則是一種記憶體架構，透過垂直堆疊記憶體單元以提高容量，而非將其排列在單一水平層上。
科技媒體The Information 6日引述兩名知情人士指出，台積電應輝達（NVIDIA）要求，近期已開始規劃一種名為3D DRAM的先進記憶體晶片製造計畫，可能選項包括新建工廠或收購現有工廠改建，目前還不清楚預計何時開始生產。
台經院產經資料庫總監劉佩真接受中央社採訪表示，從產業邏輯與商業動機來看，台積電應輝達要求規劃3D DRAM製造並非完全不可能，畢竟隨著人工智慧（AI）晶片算力飆升，高頻寬與高密度的記憶體已成為硬體效能與供給的最主要瓶頸，加上韓系3大廠供給緊繃且報價高昂，驅使輝達極力尋找非韓系的多樣化產能保障。
劉佩真分析，技術上台積電早已具備3D DRAM的相關垂直結構與先進封裝專利，能天然延伸至先進記憶體堆疊領域；然而，記憶體製造的資本支出極高、利潤率與邏輯晶片代工存在天壤之別，且直接切入可能破壞與SK海力士（SK Hynix）等封裝生態圈夥伴的合作默契。
因此，劉佩真認為，台積電短期內應會以共同開發或專用技術驗證為主，不至於貿然轉型為標準記憶體的大規模量產廠。（編輯：林淑媛）1151107