（記者 林策遠 綜合報導）針對美國總統川普日前在訪問中國後，接受美國福斯新聞（Fox News）主播布萊特·拜爾（Bret Baier）與漢尼提（Sean Hannity）的專訪，再度公開指責台灣偷竊美國半導體技術一事，聯電創辦人曹興誠昨日在臉書打破沉默，嚴正駁斥此說法絕非事實。曹興誠同時強烈抨擊，台灣政府與台積電至今對此全無澄清，失職失能情況極其嚴重，他強烈建議行政院、工研院與台積電應立即召開國際記者會詳細說明，以正國際視聽。
曹興誠特別還原歷史檔案指出，台灣的半導體技術當初是合法向美國購買的。回顧1976年3月5日，由工業技術研究院代表台灣，與美國RCA公司正式簽署技術移轉與授權合約，合約為期10年。整體合約金額為350萬美元，細分為250萬美元的技術移轉費，以及100萬美元的技術授權金。在當年台灣國民平均年所得不到400美元的年代，這筆費用對於台灣而言，是一筆極為龐大的國家級賭注。
曹興誠進一步詳細說明，台灣政府當初為整個「積體電路計畫」編列了約1000萬美元（折合當時新台幣約4億元）的專案預算。這筆資金除了支付給美國RCA公司的350萬美元技術費用外，其餘的珍貴資金則全數用於興建台灣第1座3吋晶圓「示範工廠」，以及分批派遣年輕工程師前往美國RCA總部接受實地培訓。當時赴美受訓的團隊成員，除了曹興誠本人之外，還包括史欽泰、曾繁城、劉英達、蔡明介等20多位台灣半導體元老。
針對技術細節，曹興誠澄清指出，1976年台灣向RCA購買的是7微米的CMOS技術，而當時美國最尖端的技術其實是3.5微米的NMOS技術。台灣當年之所以選擇CMOS技術，主要原因有2個：第1是購買CMOS技術的費用相對便宜；第2則是CMOS具備較為省電的優勢，適合用於低階消費性產品，這項決定完全是為了配合台灣當時的消費電子業發展。因此，這座3吋晶圓廠和7微米技術，是台灣極為低微的起步。
曹興誠表示，隨後工研院電子所的這座「示範工廠」運作相當成功，政府因而決定將技術移轉給1980年成立的聯華電子公司，另行建立4吋晶圓廠以走向民間與商業化。為了支付工研院的技術移轉，聯電成立時免費給了經濟部15%的技術股。聯華電子在曹興誠的帶領下，於1983年就成功創造了每股近7元的淨利，並在1985年順利上市。受到聯電成功的激勵，政府於1983年決定在工研院內，再建一座3微米技術的6吋晶圓示範工廠，投入經費約1億美元。
這項計畫歷經4年時間，不僅研發完成3微米技術，同時也培養出了約400名工程師。曹興誠透露，1987年這400名工程師全數「轉進」新成立的「台灣積體電路公司」，並回頭「租用」該示範工廠，讓台積電在成立的第一天，就擁有了3微米的進步技術與嶄新的商用工廠。當時台積電租用工研院示範工廠的費用極為低廉，每年僅200萬美元，且事先還由經濟部支付給台積電700萬美元當作研發費用，等同讓台積電無償使用示範工廠3年半。
曹興誠直言，台積電以此方式取得技術與工廠，加上當時張忠謀同時兼任工研院與台積電的董事長，確實引發「化公為私」的爭議。曹興誠透露，他當初就曾公開提出質疑，要求讓聯電參與租用工廠的比價競爭，結果卻遭到政府打壓，甚至差點被聯電董事會解聘。他認為，或許因為這段歷史，台積電對於技術來源始終避而不談，面對美國一再侮辱台灣偷竊技術也默不作聲。
最後，曹興誠嚴正警告，川普一再指責台灣偷竊美國半導體技術，將帶來相當嚴重的後果。除了外交上的不友善，川普也以此作為藉口，逼迫台灣半導體產業前往美國設廠，其核心目的就是為了拆除台灣的「矽盾」。曹興誠強調，面對如此變局，台灣不宜再悶著頭挨罵而不敢辯駁，行政院、工研院與台積電等相關單位必須站出來公開反駁，詳細向國際社會說明台灣半導體技術的合法來源與自主研發歷程。
